MATERIALES Y ESTRUCTURAS PARA LÁSERES DE SEMICONDUCTOR.

MATERIALES Y ESTRUCTURAS PARA LÁSERES DE SEMICONDUCTOR.
D. Golmayo, M.L.Dotor, L. González, Y. González, P.A. Postigo, J.P. Silveira, F. Briones,
Mediante esta técnica de epitaxia por MBE, que ha demostrado ya su viabilidad para la
producción industrial a gran escala y cuya versatilidad y precisión permite la realización de
nuevos diseños de estructuras láser, se han crecido y optimizado las capas confinadoras, guías
de luz y zonas activas para emisores láser de baja dimensionalidad, con emisión en 850, 980,
1300 y 1550 nm. Esto ha permitido su utilización posterior en las heterostructuras completas
de diodos láser.
Capas confinadoras: capas de Ga0.51In 0.49P sobre
GaAs, dopadas tipo n (Si) y p (Be); capas de InP tipo
n (Si) y p (Be) , y Al0.48In0.52As dopado Be sobre InP.
La Fig.1 muestra las movilidades frente el número de
portadores en GaInP e InP.
Guías de luz para 1300 nm y 1550 nm: superredes
(SR) de período corto de (InP)m(Ga0.47In0.53As)n o de
(Ga0.22In0.78As)m(Ga0.22In0.78P)m para sustituir las
diferentes aleaciones GaxIn1-xAsyP1-y en estructuras
tipo SCH o GRIN-SCH. Los subíndices m y n
indican el número de monocapas de cada
constituyente de la superred.
Zona activa: pozos cuánticos de diversos materiales,
como cuaternarios GaxIn1-xAsyP1-y, ternarios GaxIn1-
xAs o SR de período corto de tensiones compensadas
(GaAs)2(InAs)2 con emisión en 1300 nm y 1550 nm..
La Fig. 2 muestra el detalle de una micrografía de
TEM de alta resolución de una estructura de siete
pozos de (GaAs)2(InAs)2 con barreras y guía de
(InP)m(Ga0.47In0.53As)n y un barrido theta-2theta de la
misma estructura.
Estructuras láser: se han fabricado diodos láser de pozos cuánticos de GaInAsP con emisión
en 1300nm, cuyas características de emisión se están estudiando en el IMM.

Jesus Castillo
C.I. 15430564
CRF